复旦大学拟对复旦大学集成电路与微纳电子创新学院刘春森老师课题组在研期间所获十项专利申请权进行转让，现进行转让前公示，公示信息如下：

专利名称1：基于二维材料的超快FN隧穿闪存器件及其制备方法

专利申请号：202510281072.6

专利申请人：复旦大学

发明人：刘春森、孔禹心、周鹏

简介：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料的超快FN隧穿闪存器件及其制备方法。本发明利用二维材料能带工程与界面工程，有效提高存储器件的编程效率，该存储器在纳秒级的擦写速度下，具备十年非易失存储保持能力，且快速擦写操作循环寿命高达百万次。本发明的二维闪存器件的制备方法，包括存储叠层设计、超净界面工程和源漏接触设计。本发明实现了兼具非易失保持、高鲁棒性和超快擦写特性的存储器件，解决了传统存储器在速度方面的不足，为高性能存储技术的发展提供了新的路径。

 

专利申请名称2：基于二维闪存器件与CMOS的存储芯片及其制备方法

专利申请号：202510282370.7

专利申请人：复旦大学

发明人：刘春森、王谭君、周鹏

简介：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料闪存器件与CMOS 的存储芯片及其制备方法。本发明存储芯片包括由CMOS 工艺制备的带有存储器外围电路的衬底以及由二维材料闪存器件构建的闪存阵列；带有存储器外围电路的衬底包括：底层衬底；衬底表面的MOS 器件；金属导线之间的隔离层；本发明基于二维材料闪存器件超快非易失存储特性，进一步提高闪存器件的集成密度，包括闪存器件堆叠设计、闪存器件器件结构设计、闪存阵列电路结构设计。本发明在保持超快闪存器件基本性能的基础上，实现CMOS 工艺兼容的闪存器件三维堆叠与规模集成，进而实现存储芯片存储性能和存储密度协同突破。

 

专利申请名称3：一种超洁净、可扩展的二维闪存规模化集成方法

专利申请号：202510281115.0

专利申请人：复旦大学

发明人：刘春森、樊邵桦、周鹏

简介：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种超洁净、可扩展的二维闪存规模化集成方法。本发明通过超洁净界面工程和可扩展的材料堆叠设计，实现规模化的二维闪存阵列集成。本发明具有超洁净的界面特性，可实现原子级平整度的异质界面；具备高度可扩展性，适用于不同二维材料堆叠体系的规模制造。本发明制备的阵列器件在光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜下均未观测到明显污染。本发明的超洁净特性和高度可扩展特性有效解决了二维闪存阵列的集成问题。

 

专利申请名称4：基于二维狄拉克材料的电荷超注入的存储器及其制备方法

专利申请号：202510273997.6

专利申请人：复旦大学

发明人：刘春森、王宠、周鹏

简介：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维狄拉克材料的电荷超注入的存储器。本发明存储器的沟道材料采用具有锥形能带结构的二维狄拉克材料，且沟道材料的电子亲合能大于隧穿层材料的电子亲合能；电荷存储层材料的电子亲合能同时大于隧穿层和阻挡层的电子亲和能，且电荷存储层材料的禁带宽度小于隧穿层和阻挡层的禁带宽度；隧穿层、电荷存储层、阻挡层能组成势阱，保证电荷由沟道注入到电荷存储层后，能够长时间保持在其中；在合适外加电压条件下，载流子在沟道中全程加速并不断从电场中获得能量进而实现电荷的超注入；在保持数百皮秒级的编程速度的同时，将数据保持能力提高至十年以上。本发明可有效降低存储器因高频率导致的功耗。

 

专利申请名称5：基于二维闪存的自激活存内计算方法，阵列及存算单元

专利申请号：202510273928.5

专利申请人：复旦大学

发明人：刘春森、沈伯佥、周鹏

简介：本发明涉及电子技术领域，具体为基于二维闪存的自激活存内计算方法，阵列及存算单元。本发明能够实现ReUL激活函数功能，即输入为正时输出原值，负时输出0，实现稀疏激活，而无需外部额外的电路结构；计算中涉及自激活的存内计算单元以及由存算单元组成的阵列、行列控制器；具体包括：存算单元阵列通过行列控制器接收输入数据；存算单元基于存储的权重与输入数据进行乘法操作，并实施ReUL激活操作；运算结果以电流形式输出；多个存算单元的电流输出在位线上累积求和，产生乘加运算的电流输出，并经过电流电压转换产生电压输出。本发明利用二维材料灵活的能带设计实现快速读写，提高存内计算的速度，并有效降低硬件和功耗负担，提高计算能效。

 

专利申请名称6：二维闪存/CMOS单片集成的跨平台异构系统

专利申请号：202510274064.9

专利申请人：复旦大学

发明人：刘春森、沈伯佥、周鹏

简介：本发明属于半导体技术领域，具体为二维闪存/CMOS单片集成的跨平台异构系统。本发明系统由二维闪存阵列和CMOS外围电路单片集成得到，CMOS单片作为二维闪存阵列的外围电路，在器件级粒度上两者紧密结合；具体分为两层，上层是二维闪存阵列，下层是CMOS电路，二者通过TGV实现互联；并通过模块化通信方式使CMOS有效控制二维闪存阵列；本发明解决了两部分紧密结合时技术节点不匹配、异质集成带来的工艺污染以及电路架构重组发生冲突等技术问题。本发明中，CMOS利用二维闪存的高速读写特点，提升CMOS的时钟速度，提高未来芯片的工作效率；二维闪存利用CMOS成熟、高效的逻辑电路，优化二维闪存外围读取电路；推动二维闪存走向工业界的进程。

 

专利申请名称7：二维材料与CMOS单片集成的电荷超注入存储芯片及其制备方法

专利申请号：202511172930.X

专利申请人：复旦大学

发明人：刘春森、吴昊奇、周鹏

简介：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种二维材料与CMOS单片集成的电荷超注入存储芯片及其制备方法。本发明的电荷超注入闪存芯片，由二维材料电荷超注入闪存器件构成的闪存阵列与采用CMOS工艺制备的包含存储器外围电路的衬底进行单片集成构建而成。该芯片具体分为两层：上层为二维材料电荷超注入闪存阵列，下层为CMOS外围电路，二者通过垂直穿层导通结构实现电连接。本发明在保持二维材料电荷超注入闪存器件的亚纳秒超快编程特性的基础上，引入隧穿效率优化设计和界面陷阱钝化工艺，进一步提升器件的编程效率与器件的稳定行，同时，实现与CMOS工艺兼容的规模集成，为该类器件在工业级存储芯片中的应用奠定技术基础。

专利申请名称8：基于2.5D集成的二维闪存与CMOS混合封装存储芯片及其制备方法

专利申请号：202511172918.9

专利申请人：复旦大学

发明人：刘春森、吴昊奇、周鹏

简介：本发明属于半导体存储器封装技术领域，具体为一种基于二维材料与CMOS电路2.5D集成的存储芯片及其制备方法。本发明所述芯片通过采用2.5D封装结构，将由二维材料超快闪存器件芯粒与采用标准CMOS工艺制备的外围控制电路芯粒集成于中介层上，并通过金属凸点焊球互连结构实现可靠电连接，封装过程中采用低温倒装工艺，配合多层金属凸点叠层结构设计，兼顾二维材料的热敏感性和互连可靠性；中介层进一步与下方的PCB测试板连接，构建起芯粒间及芯片外部的信号通路。该结构充分结合二维材料闪存的超快编程/擦除特性与CMOS电路的逻辑功能优势，为二维材料超快存储器件的工程化与系统级应用提供可行路径与技术支撑。

 

专利申请名称9：二维材料闪存与硅CMOS异质芯片的电路兼容设计方法

专利申请号：202511172818.6

专利申请人：复旦大学

发明人：刘春森、江勇波、周鹏

简介：本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种二维材料闪存与硅CMOS异质芯片的电路兼容设计方法。本发明包括二维闪存电路设计和CMOS电路设计；其中，二维闪存电路设计可有效抑制串扰，并将作用于CMOS器件的最大压降减小至二维闪存写入或擦除电压的一半；CMOS电路根据二维闪存电路的特性参数进行定制化设计，构建适配二维闪存操作需求的外围控制电路，具体包括：CMOS电路的耐负电压和耐高电压设计、CMOS驱动电路设计、CMOS灵敏放大器电路设计。通过本发明设计方法，可以实现读取、写入、擦除功能齐全的二维硅异质闪存芯片，为二维闪存技术从器件迈向芯片集成的产业化路径提供电路设计层面解决方案。

 

专利申请名称10：基于二维材料闪存与硅CMOS的存内计算硬件系统

专利申请号：202511172944.1

专利申请人：复旦大学

发明人：刘春森、江勇波、周鹏

简介：本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种基于二维材料闪存与硅CMOS的存内计算硬件系统。本发明存内计算硬件系统采用二维闪存作为存算单元，所述存算单元具备可调节的多比特非易失存储特性；二维闪存单元阵列用于存储神经网络权重参数，并与阵列的输入信号进行计算操作，输出计算结果；该系统采用CMOS外围电路控制二维闪存阵列中各单元的存储状态，提供阵列的输入信号，并且处理存内计算的输出结果。利用二维闪存和CMOS外围电路构建的存内计算系统可以为高性能低功耗计算提供支持。

拟转让价格：1020万元人民币，一次性付款

拟受让单位：长缨超存（上海）科技有限公司

定价方式：以上专利申请权由银信资产评估有限公司进行评估，评估价为1000万元人民币（含税价），最终转让价格1020万元人民币。

公示期限：自2026年11月3日至2026年11月17日止。

公示期内对公示内容有异议的，以书面形式向科学技术研究院提出，需写出具体、真实的情况，以实名提出异议，不能匿名。科研院自接到异议之日起10个工作日内重新调查核实，并将核查结果报校长办公会议审批。

 

联系人：金毅吉

联系电话：31243728

联系邮箱：jinyiji@fudan.edu.cn

     科研院技术转移中心

 2026年11月3日