复旦大学拟对微电子学院丁士进老师课题组在研期间所获三项专利权进行转让，现进行公示，公示信息如下：

专利名称1：一种基于低K材料和铜互连的MIM电容及其制备方法

专利号：201410468397.7

专利申请人：复旦大学

发明人：丁士进、朱宝、张秋香

成果简介：该专利技术通过原子层淀积方法制备Al2O3/ZrO2/SiO2/ZrO2/Al2O3叠层介质和TaN或TaN/Ta叠层金属电极，结合双大马士革镶嵌工艺形成铜互连结构，解决了MIM电容电压非线性度和兼容性问题，实现了高电容密度和低漏电流的MIM电容，适用于射频和混合信号集成电路。

 

专利名称2：能量存储电容器及其制备方法

专利号：202111082665.8

专利申请人：复旦大学、上海集成电路制造创新中心有限公司

发明人：丁士进、何玉立、吴小晗、张卫

成果简介：该专利技术通过在电介质电容器中设计沟槽结构和层叠设置铁电和反铁电薄膜，提升了最大极化强度和击穿电场强度，解决了储能密度低和工艺复杂的问题，实现了更高的储能密度和功率密度，并与CMOS工艺兼容。

专利名称3：一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法

专利号：CN201610966743.3

专利申请人：复旦大学

发明人：丁士进、王永平、刘文军、张卫

成果简介：该专利技术通过交替制备Ta-C-N和Ni-C-N多层薄膜，解决了TaN阻挡层薄膜电阻率高的问题，实现了低电阻率和良好抗Cu扩散性能，适用于集成电路Cu互连工艺，提高了电路性能和寿命。

 

拟转化方式：公开挂牌转让，拟通过上海技术交易所公开挂牌，征集受让方。

拟转化价格：303万元人民币

评估价格：以上专利技术由银信资产评估有限公司进行评估，评估价为290万元人民币（含税价）。

 

公示期限：自2026年9月7日至2026年9月21日止

公示期内对公示内容有异议的，以书面形式向科学技术研究院提出，需写出具体、真实的情况，以实名提出异议，不能匿名。科研院自接到异议之日起10个工作日内重新调查核实，并将核查结果报校长办公会议审批。

 

联系人：丁帆

联系电话：31243737

联系邮箱：dingfan@fudan.edu.cn

     科研院技术转移中心

 2026年9月7日