复旦大学拟对复旦大学微电子学院包文中老师课题组在研期间所获十一项专利权及专利申请权进行转让，现进行转让前公示，公示信息如下：

专利名称1：制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法

专利申请号：201810014816.8

专利申请人：复旦大学

发明人：包文中、昝武、许浒、张卫

简介： 本发明属于二维半导体晶体管技术领域，具体为一种制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法。本发明方法包括制备一系列堆叠结构，所述堆叠结构自下向上依次是衬底、二维半导体材料、充当源极和漏极的金属电极材料、旋涂形成的电解质介质薄膜、充当栅极的金属电极材料。所述电解质与传统介质材料相比具有更大的比电容，且所述栅极为顶栅的拓扑结构。因此，本发明方法可以解决二维半导体场效应晶体管在低工作电压、低功耗、高速电路和柔性电路上的应用问题。 

 

专利名称2：基于二维材料的NS叠层晶体管及其制备方法

专利申请号：202010154718.1

专利申请人：复旦大学

发明人：包文中、宗凌逸、万景、邓嘉男、郭晓娇、张卫

简介： 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于二维材料的NS叠层晶体管及其制备方法。本发明的NS叠层晶体管由两层或数层二维材料的活性层，三层或数层石墨烯或者金属的栅极堆叠共栅组成。本发明的制备方法包括硅/二氧化硅埋栅的制备；硅/二氧化硅衬底上的二维材料的制备；与二维材料不连接的石墨烯或金属电极的制备；二维材料的氧化或者选择性刻蚀和金属电极的选择性刻蚀；与二维材料边缘接触的金属电极以及和金属电极接触的连接电极的制备。本发明提出一种二维材料的新型晶体管结构，不仅解决了硅基晶体管在极小尺度下的短沟道效应问题，而且此类型晶体管可适应5nm以下先进制程工艺，为二维材料在集成电路先进工艺中的应用提供了基础。

 

专利名称3：形成金属-二维过渡族金属化合物材料良好欧姆接触的方法

专利申请号：201810010472.3

专利申请人：复旦大学

发明人：包文中、宋雄飞、昝武、许浒、周鹏、张卫

简介： 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。

 

专利名称4：基于自对准结构的叠层沟道纳米片晶体管及其制备方法

专利申请号：202011316239.1

专利申请人：复旦大学

发明人：万景、包文中、邓嘉男、宗凌逸、刘坚

简介： 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于自对准结构的叠层沟道纳米片晶体管及其制备方法。随着集成电路中半导体晶体管制程的逐步缩小，由于短沟道效应的存在，器件性能的提升受到严峻的挑战。在35 nm工艺节点下，器件的具体结构从鳍型场效应晶体管逐步转变为环栅叠层纳米片晶体管，其使得晶体管拥有更小的导通电阻与更强的栅控能力。本发明利用自有的栅极、源极、漏极金属作为自对准掩膜，制备得到叠层沟道纳米片晶体管。本发明具有制备工艺简单，成本低廉，兼容以硅基、锗基、三五族、IGZO、二维半导体等材料作为沟导电道的晶体管架构等等一系列优点，大大提升了器件性能。

 

专利名称5：基于二维半导体材料的半浮栅存储器及其制备方法

专利申请号：201710815408.8

专利申请人：复旦大学

发明人：周鹏、刘春森、张卫

简介： 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明利用二维材料能带工程，实现了准非挥发存储特性，在写入速度纳秒级的情况下，数据保持能力达到几十秒，这一特性对于大幅降低随机存储器的功耗有重大帮助。本发明的二维半浮栅存储器的制备方法，包括能带设计、材料堆叠设计和电极版图设计。该存储器在保持纳秒级写入特性的前提下，大幅提升数据保持能力至几十秒；数据保持能力的提高可以极大的降低高速存储技术由于频繁刷新导致的功耗问题。

 

专利名称6：一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法

专利申请号：202011555330.9

专利申请人：复旦大学

发明人：包文中、马静怡、郭晓娇、童领、陈新宇、缑赛飞、周鹏、张卫

简介： 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本发明利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触发生的固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本发明可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。

 

专利名称7：非贵金属单原子掺杂的二维材料的电镀制备方法

专利申请号：202010083029.6

专利申请人：复旦大学

发明人：孙正宗、轩宁宁

简介： 本发明属于二维材料制备技术领域，具体为非贵金属掺杂的二维材料的电镀制备方法。本发明方法具体步骤包括：制备含有单层或少层二维材料的电极；通过电镀法制备非贵金属掺杂的二维材料：电镀体系为三电极体系，以石墨棒作为阳极，二维材料为阴极，饱和甘汞为参比电极；电解液为饱和的过渡金属氢氧化物溶液，通过调节溶液的pH值范围，控制体系内自由金属离子的浓度范围10¹⁰~10⁶ g/ml；经过0.1~24小时的电沉积，制备出不同掺杂浓度的二维材料。本发明方法简单易行，可以在室温反应，且掺杂离子的种类和浓度可精确调节，制备的非贵金属掺杂二维材料具有较高的电催化析氢和电催化二氧化碳还原性能。

 

专利名称8：一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法

专利申请号：202011282535.4

专利申请人：复旦大学

发明人：童领、包文中、马静怡、郭晓娇、陈新宇、夏银、周鹏、张卫

简介： 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。

 

专利申请名称9：基于二维材料的边缘接触晶体管及制备方法

专利申请号：202211659843.3

专利申请人：复旦大学

发明人：包文中、盛楚明、朱宇轩、董祥麒、周鹏

简介： 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于二维材料的边缘接触晶体管及其制备方法。本发明晶体管，沟道层为二维材料，其边缘与源/漏电极接触；沟道层为一层，或者为多层，构成叠层纳米片晶体管；源极之间的连接、漏极之间的连接为刻蚀通孔后沉积连接金属；环栅连接为刻蚀通孔后钝化二维材料边缘再沉积连接金属，或使用高肖特基接触势垒金属进行连接。沟层为多层的晶体管，同层源/漏/顶栅电极由一步或分步掩模工艺制备。本发明提出的边缘接触工艺与3 nm以下先进制程兼容；结合二维材料有效抑制短沟道效应和叠层纳米片晶体管大电流，提出二维材料新型晶体管结构及其制备方法，拓展其在集成电路先进制程中的应用前景。

 

专利申请名称10：一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法

专利申请号：202210493870.1

专利申请人：复旦大学

发明人：包文中、朱宇轩、夏银、缑赛飞、张卫

简介： 本发明属于微电子工艺技术领域，具体为一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法。本发明制备方法包括：硅/二氧化硅或蓝宝石衬底上的单层或多层二维半导体材料的制备、氧化物介质层的生长、氧化物介质层上的顶栅金属电极的沉积、氧化物介质层选择性刻蚀以及与二维材料边缘接触的源漏金属电极的自对准沉积。本发明利用选择性腐蚀所形成的微结构作为硬掩膜自对准沉积源漏的金属材料，相较于非自对准工艺省略了源漏图形化套刻的步骤，避免因尺寸缩小所导致的对准偏差问题，更易于制备短沟道场效应晶体管，因此，该制备方法在尺寸不断微缩的先进工艺中有广阔的应用前景。

 

专利申请名称11：基于异质集成的叠层2T1C-DRAM存储器件及其制备方法

专利申请号：202310564445.1

专利申请人：复旦大学

发明人：万景、谢辉、肖凯、周鹏、包文中

简介： 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于MoS₂Si异质集成的叠层2T1C动态随机存储器件及其制备方法。本发明动态随机存储器件，其下层为建立在绝缘层上硅衬底上的NMOS，作为读晶体管工作，上层为MoS₂MOSFET，作为写晶体管工作；两个晶体管的源极金属以及两者间的介质层共同构成MIM电容，同时MoS₂FET的源极金属直接与SOIFET的栅极金属连接。本发明将硅基2T1CDRAM的写晶体管用MoS₂FET替代，并使其垂直堆叠在读晶体管上，形成叠层结构，减小了存储单元面积；由于MoS₂的禁带宽度更大，写晶体管闭电流减小，存储单元的数据存储时间提高。本发明存储器件集成度高、存储时间长、功耗低，可应用于高性能动态存储器领域。

 

拟转让价格：1100万元

拟受让单位：原集微科技（上海）有限公司

定价方式：以上专利权和专利申请权由上海华贤资产评估有限公司进行评估，评估价为297万元人民币（含税价）。最终转让价格1100万元人民币，首付款支付150万元人民币，第二期付款支付100万元人民币，第三期付款支付60万元人民币，里程碑付款790万元。 

公示期限：自2025年3月6日至2025年3月20日止

公示期内对公示内容有异议的，以书面形式向科学技术研究院提出，需写出具体、真实的情况，以实名提出异议，不能匿名。科研院自接到异议之日起10个工作日内重新调查核实，并将核查结果报校长办公会议审批。

 

联系人：杨铭

联系电话：31243728

联系邮箱：patentfeedback@fudan.edu.cn

     科研院技术转移中心

 2025年3月6日